Термины и определения совпадают с рекомендациями IEС, 50(901), 50 (901A), 556.

Символы

4πMs - Намагниченность насыщения (Гс)

ΔH - Ширина линии ФМР (Э)

ε' - Действительная часть комплексной диэлектрической проницаемости

tgδε - Тангенс угла диэлектрических потерь

gэфф - Фактор Ланде

Tc - Температура Кюри (oC)

ΔHk - Ширина линии резонанса спиновых волн (Э)

HАэфф - Эффективное поле магнитной анизотропии (кЭ)

αMs - Температурный коэффициент намагниченности насыщения (%•oC-1)

Hc - Коэрцитивная сила (Э)

Br - Остаточная намагниченность (Гс)

W - Водопоглощение (%)

ρ - Кажущаяся плотность (г/см3)

Намагниченность насыщения, 4πMs

Наибольшая величина намагниченности (магнитный момент объема материала) для конкретного материала при данной температуре.

Величина намагниченности насыщения вычисляется как Ms=ms•ρi/P, где:

ms - магнитный момент испытываемого образца (сферы диаметром 1,0 ... 1,5 мм);

ρi– кажущаяся плотность материала;

P - масса образца.

Магнитный момент определяется методом вибрационного магнетометра с автокомпенсацией при постоян-ной температуре, в постоянном магнитном поле 8 кЭ.

Погрешность определения 4πMs не более ± 2,5%.

Ширина линии ферромагнитного резонанса на уровне минус 3 дБ, ΔH

Разница двух значений напряженности магнитного поля, при которых мощность, поглощаемая ферритовым материалом, составляет половину от максимального поглощения. Измерение ширины линии ферромагнитного резонанса и эффективного фактора Ланде, gэфф, выполня¬ется резонаторным методом на частоте 9,4 ГГц на сферах. Напряженность поля, соответствующая максимуму поглощения, называется резонансной (Hr) и используется для вычисления g-фактора по формуле:

gэфф=2πfo/kHr, где

fo - частота ФМР (c-1);

k=e/2mc (e и m - электрический заряд и масса электрона, c - скорость света);

Hr - напряженность резонансного магнитного поля (Э).

Погрешность измерения ±(5+2/ΔH)%

Комплексная диэлектрическая проницаемость, ε. Тангенс угла диэлектрических потерь, tgδε

ε=ε’+jε’’, tgδε=ε”/ε’, где: ε’ - действительная часть диэлектрической проницаемости; ε” - мнимая часть.

Измерение комплексной диэлектрической проницаемости проводится согласно стандарта Международной Электротехнической комиссии (публикация 556, 1982 г.). Используется цилиндрический резонатор ТМ010 на частоте 9,4 ГГц и контрольные образцы размером 1,12 х 1,12 х 18 мм.

Погрешность измерения ε’=±3%; ε”=±(10+ 0,06/ε”)%.

Эффективное поле анизотропии, HАэфф

Измерение поля анизотропии проводится резонансным методом на сферах в диапазоне частот 53 – 78 ГГц или на Е-пластинах в диапазоне 78 – 120 ГГц.

Погрешность измерений HАэфф±(5+5•ΔH/HАэфф)%.

Ширина линии резонанса спиновых волн, ΔHk

Характеризует предельный уровень СВЧ мощности, при котором начинается резкий рост потерь в ферритовом материале:

ΔHk=(4πMs•γ/2πf)hCmin, где:

hCmin - минимальная амплитуда СВЧ-поля, определяющая критический уровень мощности, при котором в феррите начинаются нелинейные явления (Э);

γ - гиромагнитное отношение (Э-1•с-1);

f - частота (Гц).

Ширина линии резонанса спиновых волн измеряется на сферах при параллельной накачке. В зависимости от ожидаемой величины ΔHk используется либо полый резонатор, либо открытый диэлектрический резонатор. СВЧ-сигнал 9,4 ГГц подается импульсами длительностью 1мкс, 3 мкс или 5 мкс со скважностью q=2500.

Погрешность измерений ±15%.

Характеристики петли гистерезиса, Br, Hc

характеризуют петлю гистерезиса материала. Измеряются индукционным методом на коль¬цевых сердечниках. Испытания проводят в квазистационарном режиме перемагничивания на частоте 209 Гц при приложении Hm=5Hc.

Погрешность измерения Br, Hc составляет ±5%.

Ферритовые изделия могут поставляться как без обработки, так и с механической обработкой. Стандартная точность обработки изделий ± 0,1…0,01 мм.

Стандартная шероховатость Ra = 2,5…0,63.

Плоские поверхности изделий могут быть металлизированы (покрыты) серебром толщиной до 20 мкм.

Наименование 4πMs (Гс) ΔH(-3dB) (Э) ε' tgδ•104 gэфф Tc (oC) номинал ΔHk номинал (Э) Hc (Э) номинал Br номинал (Гс) Технические условия Тип приемки
1СЧ11 4750±5% 300 15.0±5% 6 2.06±3% 450 3.0 1.1 3250 - ОТК
1СЧ12Б1 4500±5% 300 15.1±5% 5 2.20±3% 520 3.0 1.1 3250 ЕСКФ.750710.015 ТУ ОТК
1СЧ13 4000±5% 480 15.5±5% 6 2.06±3% 570 2.0 1.4 2900 - ОТК
3СЧ34М 3500±5% 300 15.9±5% 5 2.05±3% 400 2.0 1.0 2450 ЕСКФ.750710.057 ТУ ОТК
2СЧ10 3150±5% 500 15.5±5% 4 2.05±3% 560 2.0 1.5 2150  ПЯ0.707.763 ТУ ОТК
2СЧ10М 3000±5% 300 16.1±5% 5 2.05±3% 400 2.0 1.0 2050 ЕСКФ.750710.057 ТУ ОТК
3СЧ27М 2500±5% 300 16.4±5% 5 2.05±3% 400 2.0 1.0 1750 ЕСКФ.750710.057 ТУ ОТК
3СЧ23 2260±5% 350 16.3±5% 5 2.04±3% 430 2.2 1.1 1650  УВО.707.062 ТУ ОТК
3СЧ26 2100±5% 360 16.3±5% 7 2.00±3% 430 2.0 1.5 1350 - ОТК
3СЧ19Б 2030±5% 450 16.2±5% 5 2.02±3% 440 1.6 1.3 1500  УВО.707.058 ТУ ОТК
3СЧ19М 2000±5% 150 16.9±5% 5 2.04±3% 245 1.6 0.52 1160 ЕСКФ.750710.042 ТУ ОТК
3СЧ19Б1 2030±5% 450 16.2±5% 5 2.02±3% 440 1.6 1.3 1500  УВО.707.058 ТУ ОТК
3СЧ18 1870±5% 410 16.5±5% 8 2.04±3% 300 1.6 1.1 1200 ПЯ0.707.463 ТУ ОТК
4СЧ14Б 1550±5% 420 16.6±5% 5 2.05±3% 390 1.5 1.1 1100 - ОТК
4СЧ14М 1500±5% 150 17.3±5% 5 2.01±3% 210 1.6 0.52 940 ЕСКФ.750710.042 ТУ ОТК
6СЧ2 1200±5% 300 17.0±5% 4 1.98±3% 300 1.5 1.0 780 - ОТК
8СЧ6 1000±5% 360 17.0±5% 4 1.98±3% 300 1.5 1.4 680 - ОТК
3СЧ29 2300±5% 350 16.7±5% 5 2.04±3% 410 10.0 1.3 1675 ЕСКФ.750710.097 ТУ ОТК

    Частота измерения ΔH, ΔHk, ε', tgδ - 9.4 ГГц.
    * Марка 3CЧ19Б1 имеет повышенную влагостойкость (водопоглощение ≤0,1%).

    Литиевые ферриты имеют малые нерезонансные потери, высокую прямоугольность петли гистерезиса и высокую температуру Кюри. Они в основном используются в нерезонансных управляемых приборах низкого уровня мощности сантиметровых и миллиметровых диапазонов (фазовращатели, переключатели и т.д.).

    Качественный сервис и изготовление продукции для Ваших задач