Представленные материалы используются для создания СВЧ систем с оперативно управляемыми параметрами и систем с характеристиками, значения которых отличаются в разных направлениях распространения микроволнового электромагнитного поля, например, в радарных системах, спутниковых и сотовых базовых станциях, мобильных телефонах, электронных телеметрических системах, высокомощных невзаимных приборах для ускорителей элементарных частиц и в других подобных устройствах.

Термины и определения совпадают с рекомендациями IEС, 50(901), 50 (901A), 556.

Символы

ε' - Действительная часть комплексной диэлектрической проницаемости

tgδε - Тангенс угла диэлектрических потерь

W - Водопоглощение (%)

ρ - Кажущаяся плотность (г/см3)

Комплексная диэлектрическая проницаемость, ε. Тангенс угла диэлектрических потерь, tgδε

ε=ε’+jε’’, tgδε=ε”/ε’, где: ε’ - действительная часть диэлектрической проницаемости; ε” - мнимая часть.

Измерение комплексной диэлектрической проницаемости проводится согласно стандарта Международной Электротехнической комиссии (публикация 556, 1982 г.). Используется цилиндрический резонатор ТМ010 на частоте 9,4 ГГц и контрольные образцы размером 1,12 х 1,12 х 18 мм.

Погрешность измерения ε’=±3%; ε”=±(10+ 0,06/ε”)%.

Формы и размер СВЧ-диэлектриков

Качественный сервис и изготовление продукции для Ваших задач