Термины и определения совпадают с рекомендациями IEС, 50(901), 50 (901A), 556.

Символы

4πMs - Намагниченность насыщения (Гс)

ΔH - Ширина линии ФМР (Э)

ε' - Действительная часть комплексной диэлектрической проницаемости

tgδε - Тангенс угла диэлектрических потерь

gэфф - Фактор Ланде

Tc - Температура Кюри (oC)

ΔHk - Ширина линии резонанса спиновых волн (Э)

HАэфф - Эффективное поле магнитной анизотропии (кЭ)

αMs - Температурный коэффициент намагниченности насыщения (%•oC-1)

Hc - Коэрцитивная сила (Э)

Br - Остаточная намагниченность (Гс)

W - Водопоглощение (%)

ρ - Кажущаяся плотность (г/см3)

Намагниченность насыщения, 4πMs

Наибольшая величина намагниченности (магнитный момент объема материала) для конкретного материала при данной температуре.

Величина намагниченности насыщения вычисляется как Ms=ms•ρi/P, где:

ms - магнитный момент испытываемого образца (сферы диаметром 1,0 ... 1,5 мм);

ρi– кажущаяся плотность материала;

P - масса образца.

Магнитный момент определяется методом вибрационного магнетометра с автокомпенсацией при постоян-ной температуре, в постоянном магнитном поле 8 кЭ.

Погрешность определения 4πMs не более ± 2,5%.

Ширина линии ферромагнитного резонанса на уровне минус 3 дБ, ΔH

Разница двух значений напряженности магнитного поля, при которых мощность, поглощаемая ферритовым материалом, составляет половину от максимального поглощения. Измерение ширины линии ферромагнитного резонанса и эффективного фактора Ланде, gэфф, выполня¬ется резонаторным методом на частоте 9,4 ГГц на сферах. Напряженность поля, соответствующая максимуму поглощения, называется резонансной (Hr) и используется для вычисления g-фактора по формуле:

gэфф=2πfo/kHr, где

fo - частота ФМР (c-1);

k=e/2mc (e и m - электрический заряд и масса электрона, c - скорость света);

Hr - напряженность резонансного магнитного поля (Э).

Погрешность измерения ±(5+2/ΔH)%

Комплексная диэлектрическая проницаемость, ε. Тангенс угла диэлектрических потерь, tgδε

ε=ε’+jε’’, tgδε=ε”/ε’, где: ε’ - действительная часть диэлектрической проницаемости; ε” - мнимая часть.

Измерение комплексной диэлектрической проницаемости проводится согласно стандарта Международной Электротехнической комиссии (публикация 556, 1982 г.). Используется цилиндрический резонатор ТМ010 на частоте 9,4 ГГц и контрольные образцы размером 1,12 х 1,12 х 18 мм.

Погрешность измерения ε’=±3%; ε”=±(10+ 0,06/ε”)%.

Эффективное поле анизотропии, HАэфф

Измерение поля анизотропии проводится резонансным методом на сферах в диапазоне частот 53 – 78 ГГц или на Е-пластинах в диапазоне 78 – 120 ГГц.

Погрешность измерений HАэфф±(5+5•ΔH/HАэфф)%.

Ширина линии резонанса спиновых волн, ΔHk

Характеризует предельный уровень СВЧ мощности, при котором начинается резкий рост потерь в ферритовом материале:

ΔHk=(4πMs•γ/2πf)hCmin, где:

hCmin - минимальная амплитуда СВЧ-поля, определяющая критический уровень мощности, при котором в феррите начинаются нелинейные явления (Э);

γ - гиромагнитное отношение (Э-1•с-1);

f - частота (Гц).

Ширина линии резонанса спиновых волн измеряется на сферах при параллельной накачке. В зависимости от ожидаемой величины ΔHk используется либо полый резонатор, либо открытый диэлектрический резонатор. СВЧ-сигнал 9,4 ГГц подается импульсами длительностью 1мкс, 3 мкс или 5 мкс со скважностью q=2500.

Погрешность измерений ±15%.

Характеристики петли гистерезиса, Br, Hc

характеризуют петлю гистерезиса материала. Измеряются индукционным методом на коль¬цевых сердечниках. Испытания проводят в квазистационарном режиме перемагничивания на частоте 209 Гц при приложении Hm=5Hc.

Погрешность измерения Br, Hc составляет ±5%.

Ферритовые изделия могут поставляться как без обработки, так и с механической обработкой. Стандартная точность обработки изделий ± 0,1…0,01 мм.

Стандартная шероховатость Ra = 2,5…0,63.

Плоские поверхности изделий могут быть металлизированы (покрыты) серебром толщиной до 20 мкм.

Наименование 4πMs (Гс) ΔH(-3dB) (Э) ε' tgδ•104 gэфф Tc (oC) номинал ΔHk номинал (Э) Hc (Э) номинал Br номинал (Гс) Технические условия Тип приемки
3СЧ15 2100±5% 380 13.0±5% 8.0 2.06±3% 360 - 2.0 - ПЯ0.707.275 ТУ ОТК
3СЧ7 1700±5% 395 12.3±5% 6.0 - 260 7.5 2.5 - ПЯ0.707.275 ТУ ОТК
3СЧ17 1600±5% 685 12.5±5% 2.5 2.10±3% 350 - 4.5 - ПЯ0.707.275 ТУ ОТК
6СЧ1 1450±5% 155 12.0±5% 4.0 2.02±3% 140 - 1.1 920 ОСТ II.707.004-76 ОТК
8СЧ5Б 1050±5% 430 10.5±5% 2.5 1.98±3% 330 6.0 1.0 - ПЯ0.707.275 ТУ ОТК
40СЧ 880 110 10.2 20.0 - 90 - 0.9 - ПЯ0.707.275 ТУ ОТК
10СЧ15 780 250 10.0 4.0 - 160 6.0 2.0 440 ПЯ0.707.275 ТУ ОТК
10СЧ8 700 220 9.5 25.0 - 140 - 2.0 - ПЯ0.707.275 ТУ ОТК

    Частота измерения ΔH, ΔHk, ε', tgδ - 9.4 ГГц.

    Эта группа ферритов используется в приборах, которые требуют от материала малых магнитных и диэлектрических потерь в дециметровом и сантиметровом диапазонах длин волн.

    Качественный сервис и изготовление продукции для Ваших задач