Y-Gd-In-Zr

Термины и определения совпадают с рекомендациями IEС, 50(901), 50 (901A), 556.

Символы

4πM_s - Намагниченность насыщения (Гс)

ΔH - Ширина линии ФМР (Э)

ε' - Действительная часть комплексной диэлектрической проницаемости

tgδ_ε - Тангенс угла диэлектрических потерь

g_эфф - Фактор Ланде

T_c - Температура Кюри (^oC)

ΔHk - Ширина линии резонанса спиновых волн (Э)

H_Аэфф - Эффективное поле магнитной анизотропии (кЭ)

α_Ms - Температурный коэффициент намагниченности насыщения (%•^oC^-1)

H_c - Коэрцитивная сила (Э)

B_r - Остаточная намагниченность (Гс)

W - Водопоглощение (%)

ρ - Кажущаяся плотность (г/см³)

Намагниченность насыщения, 4πM_s

Наибольшая величина намагниченности (магнитный момент объема материала) для конкретного материала при данной температуре.

Величина намагниченности насыщения вычисляется как M_s=m_s•ρ_i/P, где:

m_s - магнитный момент испытываемого образца (сферы диаметром 1,0 ... 1,5 мм);

ρ_i– кажущаяся плотность материала;

P - масса образца.

Магнитный момент определяется методом вибрационного магнетометра с автокомпенсацией при постоян-ной температуре, в постоянном магнитном поле 8 кЭ.

Погрешность определения 4πM_s не более ± 2,5%.

Ширина линии ферромагнитного резонанса на уровне минус 3 дБ, ΔH

Разница двух значений напряженности магнитного поля, при которых мощность, поглощаемая ферритовым материалом, составляет половину от максимального поглощения. Измерение ширины линии ферромагнитного резонанса и эффективного фактора Ланде, g_эфф, выполня¬ется резонаторным методом на частоте 9,4 ГГц на сферах. Напряженность поля, соответствующая максимуму поглощения, называется резонансной (H_r) и используется для вычисления g-фактора по формуле:

g_эфф=2πf_o/kH_r, где

f_o - частота ФМР (c^-1);

k=e/2mc (e и m - электрический заряд и масса электрона, c - скорость света);

H_r - напряженность резонансного магнитного поля (Э).

Погрешность измерения ±(5+2/ΔH)%

Комплексная диэлектрическая проницаемость, ε. Тангенс угла диэлектрических потерь, tgδ_ε

ε=ε’+jε’’, tgδ_ε=ε”/ε’, где: ε’ - действительная часть диэлектрической проницаемости; ε” - мнимая часть.

Измерение комплексной диэлектрической проницаемости проводится согласно стандарта Международной Электротехнической комиссии (публикация 556, 1982 г.). Используется цилиндрический резонатор ТМ010 на частоте 9,4 ГГц и контрольные образцы размером 1,12 х 1,12 х 18 мм.

Погрешность измерения ε’=±3%; ε”=±(10+ 0,06/ε”)%.

Эффективное поле анизотропии, H_Аэфф

Измерение поля анизотропии проводится резонансным методом на сферах в диапазоне частот 53 – 78 ГГц или на Е-пластинах в диапазоне 78 – 120 ГГц.

Погрешность измерений H_Аэфф±(5+5•ΔH/H_Аэфф)%.

Ширина линии резонанса спиновых волн, ΔH_k

Характеризует предельный уровень СВЧ мощности, при котором начинается резкий рост потерь в ферритовом материале:

ΔH_k=(4πM_s•γ/2πf)h_Cmin, где:

h_Cmin - минимальная амплитуда СВЧ-поля, определяющая критический уровень мощности, при котором в феррите начинаются нелинейные явления (Э);

γ - гиромагнитное отношение (Э^-1•с^-1);

f - частота (Гц).

Ширина линии резонанса спиновых волн измеряется на сферах при параллельной накачке. В зависимости от ожидаемой величины ΔH_k используется либо полый резонатор, либо открытый диэлектрический резонатор. СВЧ-сигнал 9,4 ГГц подается импульсами длительностью 1мкс, 3 мкс или 5 мкс со скважностью q=2500.

Погрешность измерений ±15%.

Характеристики петли гистерезиса, B_r, H_c

характеризуют петлю гистерезиса материала. Измеряются индукционным методом на коль¬цевых сердечниках. Испытания проводят в квазистационарном режиме перемагничивания на частоте 209 Гц при приложении Hm=5Hc.

Погрешность измерения B_r, H_c составляет ±5%.

Ферритовые изделия могут поставляться как без обработки, так и с механической обработкой. Стандартная точность обработки изделий ± 0,1…0,01 мм.

Стандартная шероховатость Ra = 2,5…0,63.

Плоские поверхности изделий могут быть металлизированы (покрыты) серебром толщиной до 20 мкм.