Термины и определения совпадают с рекомендациями IEС, 50(901), 50 (901A), 556.

Символы

ε' - Действительная часть комплексной диэлектрической проницаемости

tgδε - Тангенс угла диэлектрических потерь

W - Водопоглощение (%)

ρ - Кажущаяся плотность (г/см3)

Комплексная диэлектрическая проницаемость, ε. Тангенс угла диэлектрических потерь, tgδε

ε=ε’+jε’’, tgδε=ε”/ε’, где: ε’ - действительная часть диэлектрической проницаемости; ε” - мнимая часть.

Измерение комплексной диэлектрической проницаемости проводится согласно стандарта Международной Электротехнической комиссии (публикация 556, 1982 г.). Используется цилиндрический резонатор ТМ010 на частоте 9,4 ГГц и контрольные образцы размером 1,12 х 1,12 х 18 мм.

Погрешность измерения ε’=±3%; ε”=±(10+ 0,06/ε”)%.

Формы и размер СВЧ-диэлектриков
Наименование ε' tgδ•104 W (%) ρ (г/см3) Технические условия Тип приемки
МСТ-7.3 7.3±5% 3 0.05 3.18 ЕСКФ.750750.002 ТУ ОТК
МСТ-8 8±5% 3 0.05 3.26 ЕСКФ.750750.008 ТУ ОТК
МСТ-10 10±5% 2 0.05 3.37 ЕСКФ.750750.004 ТУ ОТК
МСТ-12 12±5% 2 0.05 3.51 ЕСКФ.750750.004 ТУ ОТК
МСТ-15 15±5% 2 0.05 3.68 ЕСКФ.750750.002 ТУ ОТК
МСТ-16 16±5% 2 0.05 3.73 ЕСКФ.750750.002 ТУ ОТК
МТС-18 18±5% 3 0.05 3.71 ЕСКФ.750750.008 ТУ ОТК
МТС-20 20±5% 4 0.05 3.78 ЕСКФ.750750.003 ТУ ОТК
МТС-25 25±5% 5 0.05 3.84 ЕСКФ.750750.009 ТУ ОТК
МТС-30 30±5% 5 0.05 3.90 ЕСКФ.750750.003 ТУ ОТК
МТС-35 35±5%* 6* 0.05 3.94 ЕСКФ.750750.018 ТУ ОТК
МТС-40 40±5%* 6* 0.05 3.98 ЕСКФ.750750.009 ТУ ОТК
МТС-60 60±5%* 6* 0.05 4.22 ЕСКФ.750750.034 ТУ ОТК
МТС-80 80±5%* 6* 0.05 4.28 ЕСКФ.750750.034 ТУ ОТК
МТС-100 100±5%* 6* 0.05 4.11 ЕСКФ.750750.040 ТУ ОТК
МТС-120 120±5%* 6* 0.05 4.04 ЕСКФ.750750.040 ТУ ОТК
ВК-100М 9.9±5% 0.5 0.0 3.985 ЕСКФ.750750.002 ТУ ОТК
ВК-96М 9.6±5% 5 0.0 3.86 ЕСКФ.750750.008 ТУ ОТК
ВК-95 9.3±5% 5 0.02 3.87 ЕСКФ.750750.004 ТУ ОТК
ВК-85 9.1±5% 8 0.02 3.755 ЕСКФ.750750.004 ТУ ОТК

    Частота измерения   e', tgde - 9.4 ГГц.

    *Частота измерения   e', tgde - 6.0 ГГц.

    Представленные ниже материалы разработаны на основе силиката магния и титанатов кальция и магния. Обладают высокой механической прочностью, химической и термической стойкостью. Для механической обработки требуется алмазный инструмент или ультразвук.

    Керамика c высоким содержанием α-Al2O3.  Характеризуется малыми диэлектрическими потерями в СВЧ-диапазоне; обладает высокой твердостью и высокими прочностными свойствами, обладает высокой химической стойкостью по отношению к кислым и щелочным реагентам.

    Может применяться в СВЧ-диапазоне для создания функциональных и установочных элементов; а также в качестве конструкционного вакуумплотного и износостойкого материала.

    • Из керамики ВК-100М изготавливаются подложки для стабилизаторов высокого напряжения (электрическая прочность не менее 30 кВ/мм).
    • Из керамики ВК-96М – подложки для нагрузок микрополосковых приборов.
    • Из керамики ВК-95 – керамические каркасы типоразмера 0805 (1.9*1.45*1.3 мм) для микроиндуктивностей в чип-исполнении.
    • Из керамики ВК-85 - керамические каркасы типоразмера 1206 (3.2*1.6*1.7 мм) для микроиндуктивностей в чип-исполнении.

    Качественный сервис и изготовление продукции для Ваших задач