120 лет
трудовых побед и свершений
Термины и определения совпадают с рекомендациями IEС, 50(901), 50 (901A), 556.
Символы
ε' - Действительная часть комплексной диэлектрической проницаемостиtgδε - Тангенс угла диэлектрических потерь
W - Водопоглощение (%)ρ - Кажущаяся плотность (г/см3)
Комплексная диэлектрическая проницаемость, ε. Тангенс угла диэлектрических потерь, tgδε
ε=ε’+jε’’, tgδε=ε”/ε’, где: ε’ - действительная часть диэлектрической проницаемости; ε” - мнимая часть.
Измерение комплексной диэлектрической проницаемости проводится согласно стандарта Международной Электротехнической комиссии (публикация 556, 1982 г.). Используется цилиндрический резонатор ТМ010 на частоте 9,4 ГГц и контрольные образцы размером 1,12 х 1,12 х 18 мм.
Погрешность измерения ε’=±3%; ε”=±(10+ 0,06/ε”)%.
| Наименование марки | ε' | tgδ•104 | W (%) | ρ (г/см3) | Технические условия | Тип приемки |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ВК-100М | 9.9±5% | 0.5 | 0.0 | 3.985 | ЕСКФ.750750.002 ТУ | ОТК |
| ВК-85 | 9.1±5% | 8 | 0.02 | 3.755 | ЕСКФ.750750.004 ТУ | ОТК |
| ВК-95 | 9.3±5% | 5 | 0.02 | 3.87 | ЕСКФ.750750.004 ТУ | ОТК |
| ВК-96М | 9.6±5% | 5 | 0.0 | 3.86 | ЕСКФ.750750.008 ТУ | ОТК |
| МСТ-10 | 10±5% | 2 | 0.05 | 3.37 | ЕСКФ.750750.004 ТУ | ОТК |
| МСТ-12 | 12±5% | 2 | 0.05 | 3.51 | ЕСКФ.750750.004 ТУ | ОТК |
| МСТ-15 | 15±5% | 2 | 0.05 | 3.68 | ЕСКФ.750750.002 ТУ | ОТК |
| МСТ-16 | 16±5% | 2 | 0.05 | 3.73 | ЕСКФ.750750.002 ТУ | ОТК |
| МСТ-7.3 | 7.3±5% | 3 | 0.05 | 3.18 | ЕСКФ.750750.002 ТУ | ОТК |
| МСТ-8 | 8±5% | 3 | 0.05 | 3.26 | ЕСКФ.750750.008 ТУ | ОТК |
| МТС-100 | 100±5%* | 6* | 0.05 | 4.11 | ЕСКФ.750750.040 ТУ | ОТК |
| МТС-120 | 120±5%* | 6* | 0.05 | 4.04 | ЕСКФ.750750.040 ТУ | ОТК |
| МТС-18 | 18±5% | 3 | 0.05 | 3.71 | ЕСКФ.750750.008 ТУ | ОТК |
| МТС-20 | 20±5% | 4 | 0.05 | 3.78 | ЕСКФ.750750.003 ТУ | ОТК |
| МТС-25 | 25±5% | 5 | 0.05 | 3.84 | ЕСКФ.750750.009 ТУ | ОТК |
| МТС-30 | 30±5% | 5 | 0.05 | 3.90 | ЕСКФ.750750.003 ТУ | ОТК |
| МТС-35 | 35±5%* | 6* | 0.05 | 3.94 | ЕСКФ.750750.018 ТУ | ОТК |
| МТС-40 | 40±5%* | 6* | 0.05 | 3.98 | ЕСКФ.750750.009 ТУ | ОТК |
| МТС-60 | 60±5%* | 6* | 0.05 | 4.22 | ЕСКФ.750750.034 ТУ | ОТК |
| МТС-80 | 80±5%* | 6* | 0.05 | 4.28 | ЕСКФ.750750.034 ТУ | ОТК |
Частота измерения e', tgde - 9.4 ГГц.
*Частота измерения e', tgde - 6.0 ГГц.
Представленные ниже материалы разработаны на основе силиката магния и титанатов кальция и магния. Обладают высокой механической прочностью, химической и термической стойкостью. Для механической обработки требуется алмазный инструмент или ультразвук.
Керамика c высоким содержанием α-Al2O3. Характеризуется малыми диэлектрическими потерями в СВЧ-диапазоне; обладает высокой твердостью и высокими прочностными свойствами, обладает высокой химической стойкостью по отношению к кислым и щелочным реагентам.
Может применяться в СВЧ-диапазоне для создания функциональных и установочных элементов; а также в качестве конструкционного вакуумплотного и износостойкого материала.
- Из керамики ВК-100М изготавливаются подложки для стабилизаторов высокого напряжения (электрическая прочность не менее 30 кВ/мм).
- Из керамики ВК-96М – подложки для нагрузок микрополосковых приборов.
- Из керамики ВК-95 – керамические каркасы типоразмера 0805 (1.9*1.45*1.3 мм) для микроиндуктивностей в чип-исполнении.
- Из керамики ВК-85 - керамические каркасы типоразмера 1206 (3.2*1.6*1.7 мм) для микроиндуктивностей в чип-исполнении.