Многоотверстные сердечники / трансфлюкторы

μ_н (начальная магнитная проницаемость) - значение магнитной проницаемости по начальной или основной кривой намагничивания по индукции при стремлении напряженности магнитного поля к нулю, деленное на магнитную постоянную.

μ_max (максимальная магнитная проницаемость) - максимальное значение магнитной проницаемости как функции напряженности магнитного поля на основе намагничивания кривой по индукции.

μ_и (импульсная магнитная проницаемость) - отношение приращения индукции к приращению напряженности магнитного поля в материале при намагничивании импульсом тока определенной формы, амплитуды и длительности, деленное на магнитную постоянную.

А_L (коэффициент индуктивности, нГн) - отношение индуктивности катушки к квадрату числа витков.

В (магнитная индукция, Тл (Гс)) - векторная величина, характеризующая магнитное поле и определяющая силу, действующую на движущуюся заряженную частицу со стороны магнитного поля.

В_r (остаточная магнитная индукция, Тл(Гс)) - индукция, сохраняющаяся в магнитном материале после намагничивания его до технического насыщения и уменьшения напряженности магнитного поля в нем до нуля.

Н_с (коэрцитивная сила, А/м (Э)) - величина, равная напряженности магнитного поля, необходимого для изменения магнитной индукции от остаточной индукции до нуля.

Ф_m (магнитный поток, Вб(Мкс)) - поток магнитной индукции.

Ф_r (остаточный магнитный поток) - магнитный поток в образце из магнитного материала с остаточной намагниченностью.

Н_m (напряженность магнитного поля , А/м (Э)) - векторная величина, равная геометрической разности магнитной индукции, деленной на магнитную постоянную и намагниченность.

Н_а (амплитудное значение переменного магнитного поля , А/м (Э)) - амплитудное значение напряженности магнитного поля, вызванное переменным током.

Н_т (поле трогания, А/м (Э)) - значение напряженности магнитного поля, при котором магнитный поток на восходящей ветви статической петли гистерезиса равен 0,9 Фr.

Н_Иопт (величина импульсного намагничивающего поля, при котором минимальные уходы μ_и при изменении температуры окружающей среды)

I_r (ток считывания , А) - ток обратного направления току записи, обеспечивающий переключения сердечника из первоначально установленного состояние в состояние минус Фm на статической петле гистерезиса.

I_т (ток трогания, А) - ток, при котором магнитный поток на восходящей ветви статической петли гистерезиса равен минус 0,9 Фr.

Н_т/Н_с (коэффициент квадратности) - определяется отношением тока трогания к току считывания.

α_Нс (температурный коэффициент коэрцитивной силы, %/оС) - относительное изменение коэрцитивной силы при изменении температуры на 1оС в заданном диапазоне температур.

tg_δμ (тангенс угла магнитных потерь) - отношение мнимой части к действительной части комплексной магнитной проницаемости.

tg_δμ/μ_н (относительный тангенс угла магнитных потерь) - отношение тангенса угла магнитных потерь к начальной магнитной проницаемости.

L_кс, (индуктивность измерительной катушки с сердечником, мкГн)

Q (магнитная добротность) - величина, обратная тангенсу угла магнитных потерь.

α_rμн (относительный температурный коэффициент начальной магнитной проницаемости, 1/оС) - отношение температурного коэффициента магнитной проницаемости к значению начальной магнитной проницаемости при нормальной температуре.

Р (удельные объемные магнитные потери, кВт/м3,мкВт/см3Гц) - мощность, поглощаемая в единице объема магнитного материала и рассеиваемая в виде тепла при воздействии на материал меняющегося во времени магнитного поля.

f_кр (частота критическая, МГц) - частота, при которой тангенс угла магнитных потерь материала равен 0,1.

ρ (удельное электрическое сопротивление, Ом•м) - величина, равная отношению модуля напряженности электрического поля к модулю плотности тока, скалярная для изотропного вещества и тензорная для анизотропного.

θ (точка Кюри, ^оС) - критическая температура, выше которой ферромагнетик (ферримагнетик) становится парамагнетиком.

Гт (сердечники гантельные)

К (сердечники кольцевые)

КВ (сердечники квадратные)

П (сердечники пластинчатые)

ПТ (сердечники подстроечные трубчатые)

Т (сердечники трубчатые)

Тр (сердечники многоотверстные)

Ш (сердечники Ш-образные)

ЭЗУ (элементы запоминающих устройств)

ЭМИ (электромагнитное излучение)

ВИП (вторичные источники питания)

Примечание: Термины и определения приведены в соответствии ГОСТ 19693-74, ГОСТ 19880-74.